Ակնկալվում է, որ Samsung հաջորդ շաբաթ կհայտարարի 3 նմ չիպերի զանգվածային արտադրության մեկնարկի մասին, հայտնում է Yonhap News-ը։ Սա ընկերությունն առաջ է մղում TSMC-ից, որը ակնկալվում է, որ այս տարվա երկրորդ կեսին կսկսի 3 նմ չիպերի արտադրությունը:
5 նմ պրոցեսի համեմատ (որն օգտագործվում էր Snapdragon 888-ի և Exynos 2100-ի համար), Samsung-ի 3 նմ հանգույցը կնվազեցնի տարածքը 35%-ով, կբարձրացնի կատարումը 30%-ով և կնվազեցնի էներգիայի սպառումը 50%-ով։
Դրան կհաջողվի անցնել Gate-All-Around (GAA) տրանզիստորի դիզայնին: Դա FinFET-ից հետո հաջորդ քայլն է, քանի որ այն թույլ է տալիս նվազեցնել տրանզիստորների չափերը՝ չվնասելով հոսանք անցկացնելու նրանց կարողությունը: 3 նմ հանգույցի վրա օգտագործվող GAAFET դիզայնը ներկայացված է ստորև նկարում:
ԱՄՆ նախագահ Ջո Բայդենը գործարան է այցելել անցյալ ամիս Samsung Փհենթաեկում՝ մասնակցելու 3 նմ տեխնոլոգիայի ցուցադրությանը Samsung. Անցյալ տարի խոսակցություններ կային, որ ընկերությունը կարող է 10 միլիարդ դոլար ներդնել Տեխասում 3 նմ ձուլարան կառուցելու համար: Այս ներդրումներն աճել են մինչև 17 միլիարդ դոլար, գործարանը կսկսի գործել 2024 թվականին։
Ամեն դեպքում, նոր հանգույց ստեղծելիս ամենամեծ մտահոգությունը ելքն է: Անցյալ տարվա հոկտեմբերին Samsung հայտարարեց, որ 3 նմ պրոցեսի կատարումը «մոտենում է նույն մակարդակին, ինչ 4 նմ պրոցեսը»։ Թեև ընկերությունը պաշտոնական թվեր չի ներկայացրել, վերլուծաբանները կարծում են, որ 4 նմ հանգույցը Samsung կապված էր արտադրության ելքային խնդիրների հետ։
Երկրորդ սերնդի 3 նմ հանգույցը սպասվում է 2023 թվականին, իսկ ընկերության ճանապարհային քարտեզը ներառում է նաև 2 նմ MBCFET-ի վրա հիմնված հանգույց 2025 թվականին:
Դուք կարող եք օգնել Ուկրաինային պայքարել ռուս զավթիչների դեմ։ Դա անելու լավագույն միջոցը Ուկրաինայի զինված ուժերին միջոցների նվիրաբերումն է Savelife կամ պաշտոնական էջի միջոցով NBU.
Կարդացեք նաև.
Թողնել գրառում